STS1DNC45

STMicroelectronics

STS1DNC45

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerSTS1D
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSuperMESH™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung450V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA
Power - Max1.6W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOIC

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)