STPSC8H065G-TR

STMicroelectronics

STPSC8H065G-TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSTPSC8
Capacitance @ Vr, F414pF @ 0V, 1MHz
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.75 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr80 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C