STPSC6H12B-TR1

STMicroelectronics

STPSC6H12B-TR1

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 6A DPAK

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerSTPSC6
Capacitance @ Vr, F330pF @ 0V, 1MHz
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.9 V @ 6 A
Current - Average Rectified (Io)6A
Current - Reverse Leakage @ Vr400 µA @ 1200 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C