STPSC10065G2-TR

STMicroelectronics

STPSC10065G2-TR

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Capacitance @ Vr, F670pF @ 0V, 1MHz
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
SerieECOPACK®2
TechnologieSiC (Silicon Carbide) Schottky

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr130 µA @ 650 V
GeschwindigkeitNo Recovery Time > 500mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Hersteller-GehäuseD2PAK

Umwelt

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C