STP80N70F6

STMicroelectronics

STP80N70F6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 68V 96A TO220

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 48A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5850 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieDeepGATE™, STripFET™ VI
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung68 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C96A (Tc)
Max. Verlustleistung110W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)