STP80N450K6

STMicroelectronics

STP80N450K6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds700 pF @ 400 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieECOPACK®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung100W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)