STP78NF55-08

STMicroelectronics

STP78NF55-08

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 550V TO-220

ObsoletTubeAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8mOhm @ 40A, 10V
Basis-TeilenummerSTP78N
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3740 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™ II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)