STP60NE06L-16

STMicroelectronics

STP60NE06L-16

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4150 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Max. Verlustleistung150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur175°C (TJ)