STP3LN62K3

STMicroelectronics

STP3LN62K3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3Ohm @ 1.25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds386 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSuperMESH3™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung620 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tc)
Max. Verlustleistung45W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)