STP2N80K5

STMicroelectronics

STP2N80K5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 2A TO220

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds95 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperMESH5™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Tc)
Max. Verlustleistung45W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)