STP240N10F7

STMicroelectronics

STP240N10F7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 180A TO220

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs176 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12600 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C180A (Tc)
Max. Verlustleistung300W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)