STO68N65DM6

STMicroelectronics

STO68N65DM6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 27.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3528 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Tc)
Max. Verlustleistung240W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäuseTOLL (HV)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)