STO33N60M6

STMicroelectronics

STO33N60M6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 25A TOLL

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 12.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1515 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™ M6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Max. Verlustleistung230W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-GehäuseTOLL (HV)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)