STLD125N4F6AG

STMicroelectronics

STLD125N4F6AG

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Aktiv8-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5600 pF @ 10 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™ F6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Max. Verlustleistung130W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6) Dual Side

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)