STL8N6LF6AG

STMicroelectronics

STL8N6LF6AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 9.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1340 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™ F6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Max. Verlustleistung4.8W (Ta), 55W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101