STL8N65M5

STMicroelectronics

STL8N65M5

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT

Obsolet14-PowerVQFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds690 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Ta), 7A (Tc)
Max. Verlustleistung2.5W (Ta), 70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case14-PowerVQFN
Hersteller-GehäusePowerFLAT™ (5x5)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)