STL7N6F7

STMicroelectronics

STL7N6F7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 7A POWERFLAT

Aktiv6-PowerWDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 3.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
Max. Verlustleistung2.4W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (2x2)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)