STL65DN3LLH5

STMicroelectronics

STL65DN3LLH5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 65A POWERFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 9.5A, 10V
Basis-TeilenummerSTL65
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C65A
Power - Max60W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)