STL64N4F7AG

STMicroelectronics

STL64N4F7AG

Analog & Leistungselektronik

DISCRETE

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 32A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds637 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
Max. Verlustleistung65W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)