STL60N32N3LL

STMicroelectronics

STL60N32N3LL

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 32A/60A PWRFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.2mOhm @ 6.8A, 10V
Basis-TeilenummerSTL60
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A, 60A
Power - Max23W, 50W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)