STL58N3LLH5

STMicroelectronics

STL58N3LLH5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ H5
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+22V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C64A (Tc)
Max. Verlustleistung4.8W (Ta), 62.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)