STL51N3LLH5

STMicroelectronics

STL51N3LLH5

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs14.5mOhm @ 6.3A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds724 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±22V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
Max. Verlustleistung62.5W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)