STL47N60M6

STMicroelectronics

STL47N60M6

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 31A PWRFLAT HV

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 15.5A, 10V
Basis-TeilenummerSTL47
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs57 nC @ 10 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
SerieMDmesh™ M6
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C31A (Tc)
Max. Verlustleistung189W (Tc)

Mechanisch

Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (8x8) HV

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)