STL40N10F7

STMicroelectronics

STL40N10F7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 40A POWERFLAT

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1270 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
Max. Verlustleistung5W (Ta), 70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)