STL36DN6F7

STMicroelectronics

STL36DN6F7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 4.5A, 10V
Basis-TeilenummerSTL36
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds420pF @ 30V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C33A (Tc)
Power - Max58W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)