STL35N75LF3

STMicroelectronics

STL35N75LF3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 75V 32A POWERFLAT

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C32A (Tc)
Max. Verlustleistung50W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (3.3x3.3)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)