STL28N60DM2

STMicroelectronics

STL28N60DM2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8

AktivTape & Reel (TR)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs175mOhm @ 10.5A, 10V
Basis-TeilenummerSTL28
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Tc)
Max. Verlustleistung140W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (8x8) HV

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)