STL24NM60N

STMicroelectronics

STL24NM60N

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 16A POWERFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs215mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™ II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.3A (Ta), 16A (Tc)
Max. Verlustleistung3W (Ta), 125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (8x8) HV

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)