STL20DN10F7

STMicroelectronics

STL20DN10F7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 2.5A, 10V
Basis-TeilenummerSTL20
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds408pF @ 50V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieDeepGATE™, STripFET™ VII
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A
Power - Max62.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)