STL18N55M5

STMicroelectronics

STL18N55M5

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs270mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1352 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung550 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Ta), 13A (Tc)
Max. Verlustleistung3W (Ta), 90W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (8x8) HV

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)