STL13DP10F6

STMicroelectronics

STL13DP10F6

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.7A, 10V
Basis-TeilenummerSTL13
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 25V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieDeepGATE™, STripFET™ VI
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A
Power - Max62.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)