STL120N2VH5

STMicroelectronics

STL120N2VH5

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT

Obsolet8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 14A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4660 pF @ 15 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SerieSTripFET™ V
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA (Min)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
Max. Verlustleistung80W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)