STL115N10F7AG

STMicroelectronics

STL115N10F7AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 53A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5600 pF @ 50 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C107A (Tc)
Max. Verlustleistung136W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)