STL100N12F7

STMicroelectronics

STL100N12F7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 120V 100A POWERFLAT

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3300 pF @ 60 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSTripFET™ F7
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung136W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerFlat™ (5x6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)