Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 3A, 10V |
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| Basis-Teilenummer | STI6 |
| FET Type | N-Channel |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Montageart | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Serie | MDmesh™ K5 |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
| Drain-Source-Spannung | 900 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Max. Verlustleistung | 110W (Tc) |
| Gehäuse | Tube |
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| Package / Case | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
| Hersteller-Gehäuse | I2PAK |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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