STHU32N65DM6AG

STMicroelectronics

STHU32N65DM6AG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

AktivAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs97mOhm @ 18.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2211 pF @ 100 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
Max. Verlustleistung320W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101