STGYA120M65DF2

STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

AktivTO-247-3 Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge420 nC
IGBT TypeNPT, Trench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)202 ns
SerieM
Switching Energy1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C66ns/185ns
Test Condition400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 120A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)160 A
Current - Collector Pulsed (Icm)360 A
Power - Max625 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3 Exposed Pad
Hersteller-GehäuseMAX247™

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)