STGWT80H65DFB

STMicroelectronics

STGWT80H65DFB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L

AktivTO-3P-3, SC-65-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge414 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)85 ns
Switching Energy2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C84ns/280ns
Test Condition400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)240 A
Power - Max469 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-3P-3, SC-65-3
Hersteller-GehäuseTO-3P

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)