STGW60H65DFB

STMicroelectronics

STGW60H65DFB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 650V 80A 375W TO-247

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge306 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)60 ns
Switching Energy1.09mJ (on), 626µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C51ns/160ns
Test Condition400V, 60A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)240 A
Power - Max375 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)