STGW10M65DF2

STMicroelectronics

STGW10M65DF2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge28 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)96 ns
SerieM
Switching Energy120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C19ns/91ns
Test Condition400V, 10A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max115 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)