STGP6M65DF2

STMicroelectronics

STGP6M65DF2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge21.2 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)140 ns
SerieM
Switching Energy40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C12ns/86ns
Test Condition400V, 6A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 6A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max88 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)