STGP4M65DF2

STMicroelectronics

STGP4M65DF2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS

AktivTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge15.2 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)133 ns
SerieM
Switching Energy40µJ (on), 136µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C12ns/86ns
Test Condition400V, 4A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)8 A
Current - Collector Pulsed (Icm)16 A
Power - Max68 W

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)