STGD6M65DF2

STMicroelectronics

STGD6M65DF2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge21.2 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)140 ns
SerieM
Switching Energy36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C15ns/90ns
Test Condition400V, 6A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 6A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)24 A
Power - Max88 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseDPAK

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)