STGB5H60DF

STMicroelectronics

STGB5H60DF

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge43 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)134.5 ns
Switching Energy56µJ (on), 78.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C30ns/140ns
Test Condition400V, 5A, 47Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 5A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)10 A
Current - Collector Pulsed (Icm)20 A
Power - Max88 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)