STGB30H60DFB

STMicroelectronics

STGB30H60DFB

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge149 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)53 ns
Switching Energy383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C37ns/146ns
Test Condition400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)600 V
Current - Collector (Ic) (Max)60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)120 A
Power - Max260 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)