STGB20H65DFB2

STMicroelectronics

STGB20H65DFB2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20

AktivTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge56 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)215 ns
SerieHB2
Switching Energy265µJ (on), 214µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C16ns/78.8ns
Test Condition400V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 20A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max147 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Hersteller-GehäuseD2PAK-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)