STGB15M65DF2

STMicroelectronics

STGB15M65DF2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

AktivTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge45 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)142 ns
Switching Energy90µJ (on), 450µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C24ns/93ns
Test Condition400V, 15A, 12Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 15A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)60 A
Power - Max136 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)