STGB10M65DF2

STMicroelectronics

STGB10M65DF2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IGBT 650V 10A D2PAK

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Gate Charge28 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
EingangstypStandard
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)96 ns
Switching Energy120µJ (on), 270µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C19ns/91ns
Test Condition400V, 10A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A

Elektrisch

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)40 A
Power - Max115 W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)