STFU6N65

STMicroelectronics

STFU6N65

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.7Ohm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerSTFU6
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds463 pF @ 25 V
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Max. Verlustleistung620mW (Ta), 77W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220FP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TA)