STFI26N60M2

STMicroelectronics

STFI26N60M2

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP

ObsoletTO-262-3 Full Pack, I²PakAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs165mOhm @ 11A, 10V
Basis-TeilenummerSTFI26N
FET TypeN-Channel
HerstellerSTMicroelectronics
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieMDmesh™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Max. Verlustleistung30W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-262-3 Full Pack, I²Pak
Hersteller-GehäuseI2PAKFP (TO-281)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)